MHz晶體諧振器由于頻率較高，采用AT切割方式實現高頻振蕩。目前行業內一般是用機械加工方式對石英晶體進行切割，已使石英晶體達到指定的頻率，封裝后出廠。而愛普生基于40年左右的技術研發積累，在MHz無源晶振的生產工藝中摒棄了機械加工方式，采用QMEMS這種激光刻加工方式因其不受石英芯片大小的影響，可使石英片的形狀保持均一，即便是超小型的石英芯片，也能達到比機械加工更小的偏差。所以我們發現愛普生的MHz級晶振尺寸越做越小，功耗越做月低，目前1.0*0.8mm的小尺寸FA1008AN石英晶振已經批量投產。

EPSON的QMEMS光刻技術是如何超越機械切割方式實現超越的呢？以下愛普生石英晶振晶體代理商-南山電子官方網站小編分別從普通的機械加工的痛點以及兩種切割方式對晶振溫度特性的對比方面做了簡要介紹。對

【1】什么是反向臺形 AT 型石英晶體諧振器

英 語名稱中的“Mesa”這個詞起源于西班牙語，意思是“周圍是懸崖峭壁的臺形地貌”，通常把截面加工成臺形的半導體晶體管等稱為“臺形結構”。反向臺形 AT 型石英晶體諧振器指把 AT 切割石英片的一部分（振蕩部分） 切割成凹陷的臺形的結構（與臺形結構相反）。反向臺形 AT 型石英晶體的結構如圖 1 所示。AT 型石英晶體諧振器的石英片越薄，所起振的頻率越高。但是，通常機械性研磨實現批量、穩定生產的頻率限度為以基波起振 50MHz 左右（石英片厚度為約 30μm）。如果需要使用 AT型石英晶體獲得大于上述限度的頻率，經常使用高次振動的振動模式（三次諧波）達到 50MHz 至 150MHz。因此，為了獲得高頻，就需要使用復雜的電路控制三次諧波等振動模式。愛普生應用進行光刻加工的 QMEMS 技術，生產出只將激勵部分加工成幾微米的反向臺結構，既保證了芯片的強度又能以基波起振高頻，以此解決上述問題。

【2】愛普生公司的QMEMS技術如何實現AT晶振高頻輸出 ?

AT 型石英晶體的振蕩是典型的厚度變形振蕩，其理想的振蕩狀態是只在中央部分振蕩，而周圍部分不產生振蕩。對于 MHz 頻帶中較低頻帶的 AT 型石英晶體，大多使用倒角加工，使石英片的中央部分與周圍的厚度不同，從而獲得該效果。圖 2 表示原來的機械加工方式和使用了光刻加工的 QMEMS 方式的概略。由于機械加工利用石英芯片自身重量進行加工，所以石英芯片越小，加工難度越大，偏差也隨之增加并影響特性。與此相比，QMEMS 技術的光刻加工不受石英芯片大小的影響，可使石英片的形狀保持均一，即便是超小型的石英芯片，也能達到比機械加工更小的偏差，從而實現圖 3 所示的優越的溫度特性。 

綜上所述，在高頻領域，也能夠使用 QMEMS 技術生產出圖 1 所示的反向臺結構，既保持石英芯片的強度，又能以基波起振高頻，以此提供具有穩定性能的產品。 

【3】使用反向臺形 AT 型石英晶體的產品及其特征 

 在愛普生的產品中，使用以 QMEMS 技術實現基波起振高頻的反向臺形 AT 型石英晶體的產品如下： 

①SPXO（Simple Packaged Crystal Oscillator，石英晶體振蕩器）中的 SG-210S*H、SG-770***/SG-771***；

②VCXO（Voltage Controlled Crystal Oscillator，壓控晶體振蕩器）中的 VG-45**系列。 

 VCXO 的頻率隨外部施加的控制電壓而變化，主要應用于基站和光傳送設備。近年，由于數據通信不斷趨向高速化及大容量化，市場對高頻與穩定信號源的需求日益增加。因此，具有高頻、良好的溫度特性及優越的噪

音特性的 AT型石英晶體已成為備受矚目的存在。 

 圖 4表示使用反向臺形 AT 型石英晶體的 VCXO 產品 VG-4513CB 與本公司原有產品（倍頻型）的失真成分比較。 

 本公司原有產品（以 122.88MHz 起振的 4 倍頻） VG-4513CB (以 491.52MHz 的基波起振)

為 獲得高頻而使用鎖相環或倍頻電路時（圖 4 左），其缺點是將產生信號以外的噪音（失真成分）導致抖動特性下降。使用反向臺形 AT 型石英晶體時（圖 4 右）能以基波起振高頻，因此不會產生類似以前產品的失真成分，實現低抖動特性。以基波直接起振高頻的優勢大，我們認為它將成為不斷增加的基礎設備的不可或 缺的關鍵部件。 

愛普生AT型晶振的典型型號與參數: